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- 특훈교수
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염근영
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Plasma, Ion beam etching, Atomic layer etching (ALE), Very high frequency (VHF)
관심분야
Large area plasma source technology Neutral beam and atomic layer etching technology High selective etching of STT-MRAM materials Nano scale high aspect ratio contact hole etching Atmospheric pressure plasma technology Graphene electronics Development of sub 10 nm 3-D
학력
- Hanyang University: B.S. in Metallurgical Engineering (1977-1981)
- Seoul National University: M.S. in Materials Engineering (1981-1983)
- University of Illinois at Urbana-Champaign, USA: Ph.D. in Electronic Materials Engineering (1984-1989)
약력/경력
- University of Illinois at Urbana-Champaign, Research Assistant (1984-1989)
- Institute of Semiconductors in Tektronix Inc. USA, Process Engineer (1989-1991)
- Institute of Semiconductors in TDK Corporation (SSI Inc.), USA, Senior Engineer (1991-1992)
- School of Advanced Materials Science and Engineering, SKKU, Professor (1992-Present)
학술지 논문
- (2023) Indium tin oxide etch characteristics using CxH2x+2(x=1,2,3)/Ar. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 160, -
- (2023) Non-epitaxial single-crystal 2D material growth by geometric confinement. NATURE. 614, -
- (2022) Atomic layer etching of Sn by surface modification with H and Cl radicals. NANOTECHNOLOGY. 34, 3
- (2022) Low temperature silicon nitride grown by very high frequency (VHF,162 MHz) plasma enhanced atomic layer deposition with floating multi-tile electrode. SURFACES AND INTERFACES. 33, 102219
- (2022) Surface Engineering of TMDs by Modulation of Top Chalcogen Atoms: For Electrical Contact and Chemical Doping. ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS. X, X
- (2022) Etch Characteristics of Low-K Materials Using CF3I/C4F8/Ar/O2 Inductively Coupled Plasmas. SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS. 14, -
- (2022) Effect of Hydrofluorocarbon Structure of C3H2F6 Isomers on High Aspect Ratio Etching of Silicon Oxide. APPLIED SURFACE SCIENCE. 600, 30
- (2022) Effect of different pulse modes during Cl2/Ar inductively coupled plasma etching on the characteristics of nanoscale silicon trench formation. APPLIED SURFACE SCIENCE. 596
- (2022) Atomic layer-by-layer etching of graphene directly grown on SrTiO3 substrates for high-yield remote epitaxy and lift-off. APL MATERIALS. 10, .
- (2022) Selective etching of silicon nitride over silicon oxide using ClF3/H2 remote plasma. SCIENTIFIC REPORTS. 12, 5703
- (2022) Investigation of SiO2 Etch Characteristics by C6F6/Ar/O2 Plasmas Generated Using Inductively Coupled Plasma and Capacitively Coupled Plasma. MATERIALS. 15, 4
- (2022) Deposition of Very-Low-Hydrogen-Containing Silicon at a Low Temperature Using Very-High-Frequency (162 MHz) SiH4 Plasma. MICROMACHINES. 13, 2
- (2022) Radical flux control in reactive ion beam etching (RIBE) by dual exhaust system Applied Surface Science 571,151311. APPLIED SURFACE SCIENCE. 571, .
- (2021) Cyclic etching of silicon oxide using NF3/H2 remote plasma and NH3 gas flow. PLASMA PROCESSES AND POLYMERS. 18, 11
- (2021) Origin of operating voltage increase in deep UV light-emitting diodes with ITO/Al reflector. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 60, 11
- (2021) Room temperature deposition of very thin and flexible crystalline ITO thin film using 3-D facing-magnetron sputtering plasma source. VACUUM. 193
- (2021) Universal vertical standing of block copolymer microdomains enabled by a gradient block. JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C. 9, 39
- (2021) An Optogenetics-Inspired Flexible van der Waals Optoelectronic Synapse and its Application to a Convolutional Neural Network. ADVANCED MATERIALS. 33, 40
- (2021) Radio Frequency Induction Welding of Silver Nanowire Networks for Transparent Heat Films. MATERIALS. 14, 16
- (2021) Improved Electrical and Optical Properties of Ultra-Thin Tin Doped Indium Oxide (ITO) Thin Films by a 3-Dimensionally Confined Magnetron Sputtering Source. SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS. 13, 8
단행본
- (2012) 소재기술백서 2011. 라이온문화사. 주저자
- (2011) Plasma Processing of Nanomaterials -CHPATER 7 Atmospheric Plasmas for Carbon Nanotubes (CNTs). CRC Press Taylor & Francis Group. 공동
- (2011) Handbook of Visual Display Technology. Springer Science+Business Media. 주저자
- (2005) 플라즈마 식각기술 (Plasma Etching Technology). 문운당. 단독
특허/프로그램
- 반도체 식각 공정. 10-2019-0137982. 20201006. 대한민국
- 주파수 중첩 플라즈마 소스 디자인. 16/275,523. 20200922. 미국
- 원자층 식각 장치. 10-2018-0109632. 20200703. 대한민국
- 그래핀을 이용한 금속 방열판 및 제조방법. 10-2018-0048525. 20200407. 대한민국
- 원자층식각 공정을 이용한 전이금속 디칼코게나이드 화합물 기반 나노 헤테로 접합 소자. 16/050,063. 20200317. 미국
- 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조방법. 10-2017-0057884. 20190801. 대한민국
- 이온빔 식각 장치. 10-2017-0095219. 20190110. 대한민국
- 플라즈마 소스 및 이를 이용한 플라즈마 발생장치. 10-2017-0134023. 20181219. 대한민국
- 플라즈마 프레스 장치 및 이를 이용한 접합방법(PLASMA PRESSING DEVICE AND JUNCTION METHOD USING THE SAME). 10-2017-0054935. 20181031. 대한민국
- 플라즈마 발생장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치. 10-2018-0018622. 20181029. 대한민국
- 반도체 소자, 광전 소자, 및 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법. 10-2017-0097527. 20180424. 대한민국
- 블록 공중합체의 표면 경화 방법. 10-2015-0180844. 20180323. 대한민국
- 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조 방법 및 이로부터 제조된 다층 그래핀(METHOD FOR MANUFACTURING GRAPHENE USING PRE-DOPING AND MULTY-LAYER GRAPHENE MANUFACTURED BY THE SAME). 10-2015-0158376. 20171110. 대한민국
- 접촉저항을 이용한 나노용접 방법(NANO-WELDING METHOD USING RESISTIVE HEATING). 10-2015-0119461. 20170920. 대한민국
- 그라핀 원자층 식각 공정 기술 METHOD FOR ETCHING ATOMIC LAYER OF GRAPHENE. 14/161,050. 20160126. 미국
- 플라즈마의 생성영역을 조절할 수 있는 대면적 플라즈마 발생장치{LARGE SCALE PLASMA GENERATING APPARATUS FOR ADJUSTING PLASMA GENERATION REGION}. 10-2014-0095984. 20151109. 대한민국
- 스퍼터율 향상을 위한 유도 결합형 플라즈마 소스 및 이를 사용하는 스퍼터링 장치. 10-2013-0143834. 20150923. 대한민국
- Mild beam 을 이용한 저손상 플라즈마 처리방법 저손상 플라즈마 처리 장치{LOW-DAMAGE PLASMA PROCESSING APPARATUS}. 10-2014-0134751. 20150818. 대한민국
- 반응성 이온빔 펄스를 이용한 MRAM 물질 식각 방법{METHOD FOR ETCHING MRAM MATERIAL USING REACTIVE ION BEAM PULSE}. 10-2014-0041935. 20150611. 대한민국
- 멀티전극을 포함하는 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 방법. 10-2012-0119405. 20141112. 대한민국
수상/공훈
- 2000 / Citation Classic Award / ISI Thomspon
- 2003 / 공로상 / 나노특화 Fab Center 유치
- 2003 / 삼성전자 사장상 / 공적상
- 2004 / 나노연구혁신 금상 / 나노기술협의회
- 2004 / 학술상 / 성균학술상
- 2005 / SKKU Fellow / SKKU Fellow
- 2006 / SEMI (세계반도체장비재료협회)회장상 / SEMI STS 감사패
- 2007 / 한국마이크로전자 및 패키징학회
- 2007 추계 학술대회 최우수포스터
- 2008 / KAATS
- 2007년 최우수논문상
- 2009 / 공로상 / 나노코리아 공로상, 2009년 8월, 나노코리아
- 2009 / 성균 excellent professor상, 2009년 /성균관대학교 교수상
- 2010 / 성균관대학교 공과대학 전임교원 및 훌륭한 공대 교수상 / 성균관대학교 교수상
- 2011 / 성균관대학교 공과대학 전임교원 및 훌륭한 공대 교수상 / 성균관대학교 교수상
- 2011 / 한국반도체산업협회장상 / 공적상
- 2012 / 사단법인 한국재료학회 학술상 / 사단법인 한국재료학회
- 2015 / 학술상 / 한국진공학회 학술상
학술회의논문
- (2022) VHF Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition of SiNx. PACSURF 2022. 미국
- (2022) Effect of Bias Pulsed VHF Plasma for Gap-Filling of Silicon Dioxide in High Aspect Ratio Structures. DPS 2022. 일본
- (2022) Effect of CxHyFz Chemical Structure on the Etch Characteristics of High Aspect Ratio Contact. DPS 2022. 일본
- (2022) Effect of CxHyFz Isomer Branch Structure on High Aspect Ratio Etching. DPS 2022. 일본
- (2022) Effect of Various Pulse Plasma Techniques on TiO2 Etching. DPS 2022. 일본
- (2022) Atomic Layer Etching of Sn Using H2/Cl2 RadicaL. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Atomic Layer Modification/Etching of 2-Dimensional MoS2 Semiconductor. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Characteristics of Silicon Nitride Deposited by Very High Frequency (162 MHz)-Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using Di(isopropylamino)silane and N2 Plasma. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Cyclic Isotropic Etching of PdSe2. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Etch Characteristics of Magnetic Tunnel Junction Materials Using Reactive Ion Beam Etching without a Neutralize. KISM 2022. 대한민국
- (2022) High Aspect Ratio Contact Etching Using CxH2F6. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Improved Aspect Ratio Dependent Etching of Nanoscale Si Trench by Using Asynchronously Pulsed Plasma. KISM 2022. 대한민국
- (2022) Characteristics of Low Temperature Deposited SiO2 Film based on Very High Frequency Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition with Substrate Bias. AVS 68. 미국
- (2022) Sio2 Bottom-Up Trench Fill of a High Aspect Ratio Hole by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition Using a Very High Frequency Plasmas and Inhibitor Surface Treatment. AVS 68. 미국
- (2022) Effect of C4H2F6 Isomers on the Etch Characteristics of SiO2. AVS 68. 미국
- (2022) Reduction of EUV Resist Damage by using Neutral Beam Etching. AVS 68. 미국
- (2022) Selective Cyclic Etching of Silicon Oxide Over Silicon Nitride Using NF3/H2 Remote Plasma and NH3. AVS 68. 미국
- (2022) Selective Etching of Silicon Nitride with Remote ClF3/H2 Plasma. AVS 68. 미국
- (2022) Control of Radical/Ion Flux Ratio of Reactive Ion Beam Etching (RIBE) using Dual Exhaust system. IVC 22. 일본
- (2022) Graphene Layer Control on SrTiO3 for High-Quality Epilayer Growth. IVC 22. 일본
전시/발표회
- (2008) 프론티어 성과 대전. 대한민국
- (2008) 열린보고회. 대한민국
- (2008) 나노 코리아 2008. 대한민국
- (2008) NANO TECH2008(일본) 나노 기술 전시회. 일본
- (2007) 3단계 2차년도 2차 경쟁력강화 워크샵. 대한민국
- (2007) 2007 미래성장등록 전시회 참가. 대한민국
- (2007) 해외석학 초청강연 및 열린보고회. 대한민국
- (2007) NANO KOREA 2007. 대한민국
- (2007) 테라급나노소자개발사업단 3단계 2차년도 참여연구원 워크샵. 대한민국
- (2006) 2006 테라급나노소자개발사업단해외석학 초청강연 및 열린 보고회. 대한민국
- (2006) The 2nd Workshop on the Emerging Technologies of Semiconductor. 대한민국
- (2006) FutureTech Korea 2006제2회 미래 성장동력연구성과 전시회. 대한민국
- (2006) NANO KOREA 2006. 대한민국
- (2006) 2006 국가지정연구실(NRL) 연구성과 전시회. 대한민국
- (2006) 21세기 프론티어연구개발사업 3단계 1차년도 참여연구원 Workshop. 대한민국
- (2006) 2006 동경 나노테크 전시박람회. 일본
- (2005) 미래 성장동력 연구성과 전시회. 대한민국
- (2005) 2005 TND Technical Forum. 대한민국
- (2005) 나노코리아 2005 (NANO KOREA 2005). 대한민국
- (2005) 2005 동경 나노테크 전시박람회. 일본