
¡à ³í¹®Á¦¸ñ: Dirac electrons in a dodecagonal graphene quasicrystal
¡à °ÔÀç ÇмúÁö¸í: Science
¡à ÁÖÀúÀÚ: ¾ç ö ¿õ
¡à IF : 41.058
¡à ³í¹®¼Ò°³
Dirac electron systemÀÇ quasicrystalÀ» ½ÇÇèÀ¸·Î ÃÖÃÊ ±¸Çö.
- QuasicrystalÀÌ quasicrystal approximant¿Í ´Ù¸¥ Ư¼ºÀÌ ÀÖÀ½À» È®ÀÎÇÔ
- ARPES (angle resolved photoemission spectrometry) °á°ú¿¡¼ ±âÁ¸ÀÇ twisted bilayer graphene°ú ´Þ¸® upper layer¿Í lower layer grapheneÀÇ Dirac point°¡ °ÅÀÇ µ¿ÀÏÇϰí, ±âÁ¸ÀÇ twisted bilayer grapheneÀº K pointÀÇ Dirac cone¸¸ÀÌ °üÃøµÇ´Â µ¥ ¹ÝÇØ ´Ù¸¥ Dirac coneµéÀÌ ¹ß°ßµÇ°í, ƯÈ÷ Gamma point ºÎ±ÙÀÇ Dirac coneµéÀÇ intensity°¡ Çâ»óµÈ´Ù´Â µÎ °¡Áö ƯÀÌÁ¡ÀÌ ÀÖÀ½À» È®ÀÎÇÔ
- SiC(0001)±âÆÇ°ú Á¤È®ÇÏ°Ô 30µµ µÚƲ¾îÁø twisted bilayer grapheneÀ» epitaxial growth¹ýÀ¸·Î ¼ºÀåÇÏ´Â ¹æ¹ýÀ» °³¹ß
- TEM°ú LEED ¹æ¹ýÀ» ÀÌ¿ëÇØ Á¤È®ÇÏ°Ô 12-Áß È¸Àü´ëĪÀ» À¯ÁöÇÏ´Â twisted bilayer graphene ÀÓÀ» È®ÀÎÇϰí Stampfli tiling°ú Àß ÀÏÄ¡ÇÏ´Â °ÍÀ» È®ÀÎÇÔÀ¸·Î½á quasicrystalÀÓÀ» ÀÔÁõÇÔ
- º» ¿¬±¸´Â 2Â÷¿ø quasicrystalÀÇ °áÁ¤ÇÐÀû ƯÀ̼º ºÐ¼®Àº ¹°·Ð quasicrystal¿¡¼ Dirac fermionÀÇ 4D quantum Hall È¿°ú¸¦ ¿¬±¸ÇÏ°í º¸´Ù °íÂ÷¿øÀÇ quasiparticle physics ¿¬±¸ÀÇ ½Ã¹ßÁ¡ÀÌ µÉ °ÍÀ¸·Î ±â´ë µÊ.